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BD955	文件：88.92 Kbytes Page：3 Pages	NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD949, 951, 953, 955 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD950, 952, 954, 956 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：88.92 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BD955	文件：113.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 500mA • Complement to Type BD956 APPLICATIONS • Designed for power amplifier and switching applications 文件：113.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD955	文件：134.38 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：134.38 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD955	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Plastic Power Transistor	NJS 新泽西半导体	NJS
BD95514MUV	文件：536.7 Kbytes Page：16 Pages	FET Integrated Switching Regulator for DDR-SDRAM Cores Description BD95514MUV is a switching regulator capable of supplying high current output (up to 4A) at low output voltages (0.7V~5.0V) over a broad range of input voltages (4.5V~28V). The regulator features an internal N-MOSFET power transistor for high efficiency and low space consumption, while 文件：536.7 Kbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD95500MUV	文件：496.24 Kbytes Page：21 Pages	Switching Regulator with MOSFET for DDR-SDRAM Cores 文件：496.24 Kbytes 页数：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD95500MUV-E2	文件：496.24 Kbytes Page：21 Pages	Switching Regulator with MOSFET for DDR-SDRAM Cores 文件：496.24 Kbytes 页数：21 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD95503MUV	文件：128.139 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：128.139 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD95513MUV	文件：654.23 Kbytes Page：16 Pages	FET Integrated Switching Regulators for DDR-SDRAM Cores 文件：654.23 Kbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD95513MUV	文件：518.059 Kbytes Page：18 Pages	Switching Regulator with MOS FET for DDR-SDRAM Cores 文件：518.059 Kbytes 页数：18 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
BD955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
120
htest：
999900
atest：
5
wtest：
40

技术参数

封装：
VQFN040V6060
包装数量：
2000
最小独立包装数量：
2000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
ch：
1
Integrated FET / Controller：
Integrated FET
Topology：
Buck
Synchronous / Nonsynchronous：
Synchronous
Vin1(Min.)[V]：
3
Vin1(Max.)[V]：
20
Vout1(Min.)[V]：
0.7
Vout1(Max.)[V]：
5
Iout1(Max.)[A]：
6
SW frequency(Max.)[MHz]：
0.6
Light Load mode：
Yes
EN：
Yes
PGOOD：
Yes
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-10
Operating Temperature (Max.)[°C]：
100
Package Size [mm]：
6x6 (t=1)

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