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FTD1781K	文件：109.68 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor Features 1)VerylowVCE(sat). VCE(sat)0.4V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)ComplementstheFTB1197K 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontran	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD1781K	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR:Genreal Purpuse;	First Silicon First Silicon Co., Ltd	First Silicon
FTD1781KQLT1G	文件：109.68 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AFQ；Package：sot-23；Medium Power Transistor Features 1)VerylowVCE(sat). VCE(sat)0.4V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)ComplementstheFTB1197K 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontran	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD1781KQLT3G	文件：109.68 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AFQ；Package：sot-23；Medium Power Transistor Features 1)VerylowVCE(sat). VCE(sat)0.4V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Highcurrentcapacityincompactpackage. 3)ComplementstheFTB1197K 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontran	FS First Silicon Co., Ltd	FS
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技术参数

PC：
200
IC：
800
VCBO：
40
VCEO：
32
VCE(SAT)：
0.4
HFE(min)：
120
HFE(max)：
390
FT：
150
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市恒创达实业有限公司	FTD2005-TL-E	SANYO	17+	TSSOP8	6200	100%原装正品现货	询价

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