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FTD1781KQLT1G中文资料FS数据手册PDF规格书

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厂商型号

FTD1781KQLT1G

功能描述

Medium Power Transistor

丝印标识

AFQ

封装外壳

sot-23

文件大小

109.68 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

FS

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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FTD1781KQLT1G规格书详情

特性 Features

1) Very low VCE(sat).

VCE(sat) 0.4 V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 50mA)

2) High current capacity in compact package.

3) Complements the FTB1197K

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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