丝印：AFR；Package：sot-23；Medium Power Transistor

Features 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) 0.4 V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 50mA) 2) High current capacity in compact package. 3) Complements the FTB1197K 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Structure Epitaxial planar type NPN silicon tran

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FS

DIP

FINISAR

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光纤模块

INTEL

英特尔

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模块

FINISAR

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AFBGA-1152

FIBERXON

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