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FTD21	文件：304.66 Kbytes Page：1 Pages	DIODE TRIO WAI TYPE Low forward voltage drop Features Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability MechanicalData Case:OFCHeatSink Encap:EpoxySealedRatedUL94V-0 *Weight:6.5gram	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FTD21	文件：304.66 Kbytes Page：1 Pages	MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Features Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability MechanicalData Case:OFCHeatSink Encap:EpoxySealedRatedUL94V-0 *Weight:6.5gram	FCI-CONNECTOR FCI connector	FCI-CONNECTOR
FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2118	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D-PAK；Package：TO-252；TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2118I	文件：354.01 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I-PAK；Package：TO-251；TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat). ●ExcellentDCCurrentGainCharacteristics.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114K	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR:Genreal Purpuse;	First Silicon First Silicon Co., Ltd	First Silicon

技术参数

PC：
200
IC：
500
VCBO：
25
VCEO：
20
VCE(SAT)：
0.4
HFE(min)：
820
HFE(max)：
2700
FT：
350
Package：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市海天鸿电子科技有限公司	FTD220	IPS	1728+	TO-252	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FTD220	IPS	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FTD220	I	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市威雅利发展有限公司	FTD220	IPS	1932+	TO-252	1610	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FTD220	IPS	24+	NA/	729	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FTD220	IPS	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	FTD220	IPS	23+24	TO-252	56983	原装正品,原盘原标,提供BOM一站式配单	询价
深圳市顺鑫晟科技有限公司	FTD220	IPS	25+	TO-252	188600	全新原厂原装正品现货欢迎咨询	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	FTD220	IPS	25+	SOT-252	2500	原装正品,假一罚十!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FTD220其他被动元件	IPS	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多FTD21供应商更新时间2025-7-29 15:10:00

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