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FTD2017R	文件：54.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •2.5Vdrive. •Mountheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting. •Draincommonspecifications.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
G2017	文件：120.08 Kbytes Page：1 Pages	RubberPush-InBumpers	HeycoHeyco. 海科	Heyco
GT-BGA-2017	文件：351.22 Kbytes Page：4 Pages	Easilyremovableswivelsocketlid	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
H2017	文件：274.78 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
H2017NL	文件：1.41878 Mbytes Page：5 Pages	PowerOVEREthernet(PoE)Magneticsand(PoE)Magnetics	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
H2017NL	文件：561.66 Kbytes Page：3 Pages	MDL,QUAD,100P,1:1,SM,TU	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
H2017NL	文件：1.41878 Mbytes Page：5 Pages	RoHSpeakreflowtemperaturerating245C	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
H2017NL	文件：646.41 Kbytes Page：5 Pages	10/100BASE-TXVoIPMagneticsModules	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
HAF2017	文件：134.23 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Descriptions ThisFEThastheovertemperatureshutdowncapabilitysensingthejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshutdowncircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshutdownthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpower	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2017(L)_15	文件：153.53 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
FTD2017R
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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