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FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BV；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Marking：BW；Package：SOT-23；Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GM2114	文件：360.98 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPOSITIVEVOLTAGEREGULATOR Description TheGM2114seriesofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(30uAtyp.)withlowdropoutvoltage,makingthemidealforbatteryapplications. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFold-backtopreventdevicefailureunderthe“Worst”ofopera	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GRF2114	文件：964.37 Kbytes Page：13 Pages	BroadbandLNA/LinearDriverTuningRange:0.1–2.7GHz Features Reference:5V/135mA/830MHz •Gain:17.9dB •EvalBoardNF:0.93dB •IP1dB:7.4dBm •OP1dB:24.3dBm •IIP3:22.3dBm •OIP3:40.2dBm •FlexibleBiasVoltageandCurrent •Process:GaAspHEMT Applications •SmallCellsandCellularRepeaters •CellularInfrastructure •	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
HAT2114R	文件：108.93 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT2114RJ	文件：108.93 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HDSP2114S	文件：300.68 Kbytes Page：13 Pages	8-Character5x7DotMatrixParallelInputAlphanumericIntelligentDisplay	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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