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FTD2114K	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KVLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT1G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD2114KWLT3G	文件：126.58 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) 4)WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2114	文件：33.49 Kbytes Page：1 Pages	T-1SubminiatureLamps T-1¼SubminiatureLamps	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
2114	文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages	SnapBushings	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
2114A	文件：255.92 Kbytes Page：3 Pages	Fieldbus,16Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
2114D	文件：257.35 Kbytes Page：5 Pages	HIGHPERFORMANCELOW-NOISEDUALOPERATIONALAMPLIFIER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
2114-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2114-RC	文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2114-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2114-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2114T	文件：174.08 Kbytes Page：3 Pages	CrimpHousings	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AAT2114A	文件：2.92495 Mbytes Page：16 Pages	2.5ALow-Noise,FastTransient3MHzStep-DownRegulator	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
ADP2114	文件：2.74623 Mbytes Page：40 Pages	Configurable,Dual2A/Single4A,SynchronousStep-DownDC-to-DCRegulator	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP2114-EVALZ	文件：2.74623 Mbytes Page：40 Pages	Configurable,Dual2A/Single4A,SynchronousStep-DownDC-to-DCRegulator	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AP2114	文件：787.94 Kbytes Page：28 Pages	1ALOWNOISECMOSLDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2114	文件：914.27 Kbytes Page：33 Pages	1ALOWNOISECMOSLDOREGULATORWITHENABLE Features •OutputVoltageAccuracy:±1.5 •OutputCurrent:1A(Min) •Fold-backShortCurrentProtection:50mA •LowDropoutVoltage(3.3V):450mV(Typ) @IOUT=1A •Stablewith4.7μFFlexibleCap:Ceramic, TantalumandAluminumElectrolytic •ExcellentLineRegulation:0.02/V(Typ), 0.1/V	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ASP-2114-B	文件：126.72 Kbytes Page：4 Pages	LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FTD2114K供应商更新时间2024-6-6 15:10:00

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