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FSS2	文件：73.4 Kbytes Page：2 Pages	Proximity Magnetic Sensors Cylindrical Housing	CARLOGAVAZZI Carlo Gavazzi Holding AG	CARLOGAVAZZI
FSS2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：圆柱形，有螺纹；包装：盒类别：传感器，变送器磁性传感器 - 位置，接近，速度（模块）描述：SEN PROX MAG CO	Carlo Gavazzi Inc. Carlo Gavazzi Inc.	Carlo Gavazzi Inc.
FSS207	文件：41.71 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS212	文件：176.12 Kbytes Page：4 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DCConverterApplications Features •LowONresistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS216	文件：146.71 Kbytes Page：4 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DCConverterApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS218	文件：41.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Features •Motordriveapplications. •Inverterdriveapplications. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS230D	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230D1	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230D3	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil

产品属性

产品编号：
FSS2
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 位置，接近，速度（模块）
系列：
FS
包装：
盒
类型：
开关
输出类型：
NO/NC
端接样式：
导线引线
电压 - 供电：
230VAC
工作温度：
-25°C ~ 75°C
封装/外壳：
圆柱形，有螺纹
描述：
SEN PROX MAG CO

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