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FSS230D1	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ADuM230D1BRIZ	文件：319.69 Kbytes Page：21 Pages	5.0kVRMSTripleChannelDigitalIsolators	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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FSGS230D1	文件：78.55 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFET IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSGYE230D1	文件：81.82 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFET IntersilStarPowerRadHard MOSFETshavebeenspecifically developedforhighperformance applicationsinacommercialor militaryspaceenvironment. StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerboth extremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthe developmentoflowlossPowerSubsystem	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSL230D1	文件：45.65 Kbytes Page：8 Pages	5A,200V,0.460Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSPL230D1	文件：81.57 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSPS230D1	文件：80.35 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPower™RadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Sta	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSPYE230D1	文件：83.75 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

详细参数

型号：
FSS230D1
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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