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FSS234R3	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234R4	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS238	文件：72.33 Kbytes Page：4 Pages	Load Switching Applications Features •LowONresistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS239	文件：28.35 Kbytes Page：4 Pages	Load Switching Applications Features •LowONresistance. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS23A0D	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A0D1	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A0D3	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A0R	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A0R1	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS23A0R3	文件：56.72 Kbytes Page：8 Pages	9A, 200V, 0.330 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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产品属性

产品编号：
FSS2
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 位置，接近，速度（模块）
系列：
FS
包装：
盒
类型：
开关
输出类型：
NO/NC
端接样式：
导线引线
电压 - 供电：
230VAC
工作温度：
-25°C ~ 75°C
封装/外壳：
圆柱形，有螺纹
描述：
SEN PROX MAG CO

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