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FSS230R1	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R3	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS230R4	文件：46.46 Kbytes Page：8 Pages	8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS232	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	Load Switching Applications Features •LowONresistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS234	文件：29.28 Kbytes Page：4 Pages	DC / DC Converter Applications Features •LowON-resistance. •4.0Vdrive. •Ultrahigh-speedswitching.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSS234D	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234D1	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234D3	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234R	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234R1	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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产品属性

产品编号：
FSS2
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 位置，接近，速度（模块）
系列：
FS
包装：
盒
类型：
开关
输出类型：
NO/NC
端接样式：
导线引线
电压 - 供电：
230VAC
工作温度：
-25°C ~ 75°C
封装/外壳：
圆柱形，有螺纹
描述：
SEN PROX MAG CO

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