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52N15D	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IIRFB52N15D	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFS52N15D	文件：335.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB52N15	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB52N15D	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB52N15D	文件：338.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB52N15DPBF	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●PlasmaDispla	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS52N15D	文件：335.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS52N15D	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS52N15DPBF	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●PlasmaDispla	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS52N15DPBF	文件：330.66 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL52N15D	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL52N15D	文件：330.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤32mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL52N15DPBF	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●PlasmaDispla	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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