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IRFS52N15DPBF中文资料PDF规格书
IRFS52N15DPBF规格书详情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
● Lead-Free
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Plasma Display Panel
产品属性
- 型号：
IRFS52N15DPBF
- 功能描述：
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
D2-PAK |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2017+ |
TO-263 |
35689 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-263 |
9500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR原装正品现货 |
1816+ |
. |
6523 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
07+/08+ |
TO-263 |
303 |
询价 | |||
IR |
TO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IR |
2305+ |
原厂封装 |
12500 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
询价 |
