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MTM12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM12P10	文件：261.18 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12P10	文件：279.74 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12P10	文件：190.94 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.3OHM PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12P10	文件：78.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsP?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP12P10G	文件：78.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsP?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP12P10G	文件：967.44 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PAL12P10	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10A	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AJ	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AJC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AJM	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AM	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10AN	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10ANC	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
PAL12P10ANM	文件：448.59 Kbytes Page：14 Pages	ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
FQU12P10TU
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FQU13N03	FAIRCHILD/仙童	21+ROHS	TO251	77896	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQU13N06	FAIRCHIL	08+(pbfree)	TO-251	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQU13N06	仙童	06+	TO-251	5000	原装	询价
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更多FQU12P10TU供应商更新时间2024-6-8 11:10:00

详细参数

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