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STRH12P10GYT	文件：421.82 Kbytes Page：15 Pages	Rad-Hard100V,12A,P-channelPowerMOSFET Features •Fastswitching •100avalanchetested •Hermeticpackage •100kradTID •SEEradiationhardened Description TheSTRH12P10isaP-channelPowerMOSFETabletooperateundersevere environmentconditionsandradiationexposure. Itprovideshighreliabilityperformanceandimmu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
UTT12P10	文件：242.42 Kbytes Page：6 Pages	100V,12AP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
V12P10	文件：94.65 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P10	文件：92.17 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P10	文件：110.92 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P10	文件：105.68 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomaticplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
FQU12P10TU
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQU12P10TU供应商更新时间2024-6-7 14:50:00

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