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KF4N20LDSLASHI	文件：601.66 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=200V,ID=3.6A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N20LI	文件：601.66 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=200V,ID=3.6A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N20LI	文件：601.68 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=200V,ID=3.6A •D	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF4N20LW	文件：316.81 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=200V,ID=1A •Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSMD4N20	文件：1.33594 Mbytes Page：8 Pages	200VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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MDD4N20Y	文件：810.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,3.0A,1.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDD4N20YRH	文件：351.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDD4N20YRH	文件：810.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,3.0A,1.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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