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MDD4N20Y

N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm)

文件:810.9 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDD4N20YRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.35Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:351.95 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MDD4N20YRH

N-Channel MOSFET 200V, 3.0A, 1.35(ohm)

文件:810.9 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDD4N20YRH

200V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

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MAGNACH
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MAGNACHIP
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TO252
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MAGNACHIP
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MAGNACHIP/美格纳
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TO-252
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更多MDD4N20Y供应商 更新时间2026-2-3 14:02:00