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FQPF8N90C	文件：278.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF8N90C	文件：865.81 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
8N90	文件：163.07 Kbytes Page：5 Pages	8Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N90	文件：187.16 Kbytes Page：5 Pages	8A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N90	文件：58.19 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8N90A	文件：277.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA8N90C	文件：807.35 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA8N90C	文件：800.75 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA8N90C	文件：691.7 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB8N90C	文件：293.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP8N90C	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP8N90C	文件：865.81 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSM8N90C	文件：2.51721 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF8N90C	文件：2.51721 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTH8N90	文件：89.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTH8N90	文件：394.83 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH8N90	文件：293.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSF8N90A	文件：253.36 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSFP8N90	文件：201.59 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
SSH8N90A	文件：273.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FQPF8N90
功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQPF8N90C	onsemi	24+	TO-220F-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF8N90C	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	7828	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市星佑电子有限公司	FQPF8N90C	仙童	06+	TO-220F	4000	原装	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FQPF8N90C	FAIRCHIL	2015+	TO-220F	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FQPF8N90C	FAIRCHILD	2016+	TO-220F	6523	只做进口原装现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FQPF8N90C	FAIRCHIL	23+	TO-220F	8600	全新原装现货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FQPF8N90C	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQPF8N90C	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQPF8N90C	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市纳立科技有限公司	FQPF8N90C		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价

更多FQPF8N90供应商更新时间2024-6-5 21:36:00

详细参数

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