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FQPF6N90	文件：680.05 Kbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：680.05 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF6N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQPF6N90C	文件：860.17 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switchi 文件：860.17 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF6N90C	文件：1.1188 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 6.0 A, 2.3 廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switchi 文件：1.1188 Mbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF6N90C	文件：346.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed swi 文件：346.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF6N90CT	文件：1.1188 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 6.0 A, 2.3 廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switchi 文件：1.1188 Mbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF6N90C	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-220F 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：30nC)\n•低 Crss（典型值11pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
56
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
2300
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
30
Ciss Typ (pF)：
1360
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQPF6N90	FAIRCHILD/仙童	25+	TO-220F	45000	FAIRCHILD/仙童全新现货FQPF6N90即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多FQPF6N90供应商更新时间2025-12-9 11:13:00

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