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FQPF6N90C中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

FQPF6N90C

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

346.21 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 15:45:00

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FQPF6N90C规格书详情

DESCRIPTION

·Drain Current ID= 6A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS=900V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 2.3Ω(Max)

·100 Avalanche Tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·High current , high speed switching

·Switch mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    FQPF6N90C

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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