FQPF6N90C中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
FQPF6N90C规格书详情
DESCRIPTION
·Drain Current ID= 6A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS=900V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 2.3Ω(Max)
·100 Avalanche Tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High current , high speed switching
·Switch mode power supplies
产品属性
- 型号：
FQPF6N90C
- 功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220F |
90000 |
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25+ |
TO220F |
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ONSEMI |
25+ |
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TO-220F |
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ON/安森美 |
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ONSEMI/安森美 |
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TO220F |
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NA |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
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