FQPF6N60C中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
FQPF6N60C规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID=5.5A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) =2.0Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号：
FQPF6N60C
- 功能描述：
MOSFET N-CH/600V/6A/QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
11+ |
TO-220F |
25893 |
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