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FQPF6N80C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FQPF6N80C
厂商型号

FQPF6N80C

功能描述

N-Channel QFET짰 MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 廓

文件大小

1.01814 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-3 18:00:00

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FQPF6N80C规格书详情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• 5.5 A, 800 V, RDS(on) = 2.5 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 2.75 A

• Low Gate Charge (Typ. 21 nC)

• Low Crss (Typ. 8 pF)

• 100 Avalanche Tested

产品属性

  • 型号:

    FQPF6N80C

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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