FQPF6N90C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQPF6N90C规格书详情
描述 Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
特性 Features
• 6.0 A, 900 V, RDS(on)= 2.3 Ω(Max.) @ VGS= 10 V,ID= 3.0 A
• Low Gate Charge (Typ. 30nC)
• Low Crss (Typ. 11pF)
• 100 Avalanche Tested
产品属性
- 型号：
FQPF6N90C
- 功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
TO-220 |
60000 |
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TO-220F |
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