首页>FQPF6N90C>规格书详情

FQPF6N90C中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-220F数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FQPF6N90C

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-220F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 14:04:00

人工找货

FQPF6N90C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQPF6N90C规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低(典型值:30nC)
•低 Crss(典型值11pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 其他音频与视频
• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQPF6N90C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :900

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :6

  • PD Max (W)

    :56

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2300

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :1360

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
24+
8179
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货
询价
FSC
21+
TO220F
1568
10年芯程,只做原装正品现货,欢迎加微信垂询!
询价
ON+FSC
21+
TO-220F
89210
原装现货假一赔十
询价
ONSEMI/安森美
24+
TO-220F
4000
只做原装,欢迎询价,量大价优
询价
onsemi
2025+
55740
询价
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
询价
ON/安森美
25
6000
原装正品
询价
FAIRCHILD
2023+
TO220
50000
原装现货
询价
FAIRCHILD原装正品价格
23+
TO-220F
35000
专注原装正品现货特价中量大可定
询价
FAIRCHILD
24+
TO220
6980
原装现货,可开13%税票
询价