FQPF6N90C中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF6N90C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•6A, 900V, RDS(on)= 2.3Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低(典型值:30nC)
•低 Crss(典型值11pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他音频与视频
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
:FQPF6N90C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:900
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:6
- PD Max (W)
:56
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:2300
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:30
- Ciss Typ (pF)
:1360
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
8179 |
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询价 | |||
FSC |
21+ |
TO220F |
1568 |
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询价 | ||
ON+FSC |
21+ |
TO-220F |
89210 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220F |
4000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO220 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD原装正品价格 |
23+ |
TO-220F |
35000 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO220 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |