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HMG20N60A	文件：633.94 Kbytes Page：5 Pages	20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IKB20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKP20N60T	文件：454.76 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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