FQP17P06中文资料功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-17 A,120 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP17P06规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-17 A、-60 V、RDS(on)= 0.12 Ω(最大值),需 VGS = -10 V、ID = -8.5 A栅极电荷低(典型值:21nC)
•低 Crss(典型值80pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值
•175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
:FQP17P06
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-60
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:-4
- ID Max (A)
:-17
- PD Max (W)
:79
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:120
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:21
- Ciss Typ (pF)
:690
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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