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FQB13N50CTM	文件：973.43 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：973.43 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI13N50	文件：624.3 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：624.3 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI13N50C	文件：647.37 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：647.37 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI13N50C	文件：973.43 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：973.43 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FQB13N50CTM
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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