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FMMT458W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FXT458	文件：26.83 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO 0.5Ampcontinuouscurrent *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT458	文件：37.73 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT458	文件：53.33 Kbytes Page：1 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>400V •IC=300mAHighContinuousCurrent •ExcellenthFECharacteristicsupto100mA •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT458	文件：42.52 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES *400VoltVCEO COMPLEMENTARYTYPE-FZT558 PARTMARKINGDETAIL-FZT458	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT458	文件：272.15 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=300mAHighContinuousCurrent •ExcellenthFECharacteristicsupto100mA •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT458TA	文件：272.15 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>400V •IC=300mAHighContinuousCurrent •ExcellenthFECharacteristicsupto100mA •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
GD-458P	文件：64.2 Kbytes Page：1 Pages	AZDISPLAYS,INC.	AZDISPLAYS AZ Displays	AZDISPLAYS
HT458	文件：108.46 Kbytes Page：2 Pages	CommercialGradeLampholders	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
ISCR458P	文件：318.54 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifier FEATURES ·UltrafastRecoveryTime ·LowForwardVoltage ·LowLeakageCurrent ·150℃OperatingJunctionTemperature ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseinswitchingpowersupplies,invertersand asfreewheelingd	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
FMMT458W
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 6mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3

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更多FMMT458W供应商更新时间2025-5-14 16:00:00

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