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FIR12N65FG	文件：2.99316 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-G	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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FQP12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67Ω(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe	HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 浩海电子深圳市浩海电子有限公司	HAOHAI
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