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FIR12N65FG	文件：2.99316 Mbytes Page：7 Pages	Advanced N-Ch Power MOSFET-G 文件：2.99316 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR12N65FG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	First 福斯特	First
FIR12N65FG(H版)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FMF12N65	文件：378.57 Kbytes Page：7 Pages	12Amps 650 Voltage N Channel MOSFET 文件：378.57 Kbytes 页数：7 Pages	FCI 富加宜	FCI
FQP12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET ■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te 文件：473.94 Kbytes 页数：7 Pages	HAOHAI 浩海电子	HAOHAI
FQPF12N65C	文件：473.94 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET ■Features Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge: 38nC(Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON): 0.67Ω(Typ.) @ VGS=10V 100% Avalanche Te 文件：473.94 Kbytes 页数：7 Pages	HAOHAI 浩海电子	HAOHAI

更多FIR12N65FG供应商更新时间2025-10-13 15:05:00