首页>FIR12N65FG>规格书详情

FIR12N65FG中文资料MOS(场效应管)数据手册First规格书

PDF无图
厂商型号

FIR12N65FG

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

First First Silicon Co., Ltd

中文名称

福斯特

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 9:18:00

人工找货

FIR12N65FG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :FIR12N65FG

  • 生产厂家

    :First

  • 漏源电压(Vdss)

    :650V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :800 mΩ @ 6A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :51W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FIRST/福斯特
24+
TO-251
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
First
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
FIRST
23+
TO-252
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
FIRST福斯特
23+
TO-220F(TO-220IS)
22820
原装正品,支持实单
询价
FIRST
23+
TO-252
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
IRST/福斯特
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
FIRST(福斯特)
20+
TO-220
50
询价
first
21+
TO-220
100
原装现货假一赔十
询价
FIRST/福斯特
2450+
TO-252
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价