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FIR12N65FG数据手册First中文资料规格书

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厂商型号

FIR12N65FG

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

First First Silicon Co., Ltd

中文名称

福斯特

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FIR12N65FG

  • 生产厂家

    :First

  • 漏源电压(Vdss)

    :650V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :800 mΩ @ 6A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :51W

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