FH105数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
FH105 |
| 参数属性 | FH105 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP |
| 功能描述 | NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amplifier, Differential Amplifier Applications |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 17:34:00 |
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FH105规格书详情
简介
FH105属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的FH105晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
FH105A-TR-E
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1.5GHz
- 增益：
10dB @ 1.5GHz
- 功率 - 最大值：
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
0.95 @ 10mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
6-MCP
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP
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