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FGPF50N30TTU	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V, 50A PDP IGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF50N30TTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 46.8W TO220F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
50N30	文件：352.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
DAME50N30D	文件：253.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FGPF50N30T	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V,50APDPIGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXTH50N30	文件：380.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
PJM50N30DJ	文件：569.44 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
SFF50N30M	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SFF50N30Z	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI SSDI	SSDI
SSPL50N30H	文件：496.34 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON

产品属性

产品编号：
FGPF50N30TTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，15A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
IGBT 300V 46.8W TO220F

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