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IXTH50N30规格书详情
High Current Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTH50N30
- 功能描述：
MOSFET 59 Amps 300V 0.065 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
26+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
5567 |
全新 发货1-2天 |
询价 | ||
IXYS |
2026+ |
TO-247 |
3525 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
Littelfuse/力特艾赛斯 |
26+ |
标准封装 |
3088 |
授权代理经销商 IGBT模块 可控硅 晶闸管 现货库存 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
