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IXTH50N25T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTH50N25T

功能描述

Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

文件大小

235.8 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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IXTH50N25T规格书详情

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low RDS(on)

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

DC-DC Coverters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC Choppers

AC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching Applications

产品属性

  • 型号:

    IXTH50N25T

  • 功能描述:

    MOSFET Trench Gate Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
35615
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IXYS(艾赛斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXYS
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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IXYS
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS
24+
TO-247
8866
询价
IXYS
23+
TO-247
8000
只做原装现货
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IXYS
23+
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7000
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IXYS
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