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FGPF7N60RUFD	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V, 7A RUF IGBT CO-PAK Description Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature. Features • High speed switching • Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A • High in 文件：902.05 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGPF7N60RUFDTU	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V, 7A RUF IGBT CO-PAK Description Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature. Features • High speed switching • Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A • High in 文件：902.05 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGPF7N60RUFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, 7A RUF IGBT CO-PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGPF7N60RUFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 41W TO220F	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多FGPF7N60RUFD供应商更新时间2026-1-24 10:50:00