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FGPF7N60RUFDTU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGPF7N60RUFDTU
厂商型号

FGPF7N60RUFDTU

参数属性

FGPF7N60RUFDTU 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 41W TO220F

功能描述

600V, 7A RUF IGBT CO-PAK

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

902.05 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 12:20:00

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FGPF7N60RUFDTU规格书详情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature.

Features

• High speed switching

• Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A

• High input impedance

• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

• Short Circuit rated

Applications

Motor controls and general purpose inverters.

产品属性

  • 产品编号:

    FGPF7N60RUFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    230µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/60ns

  • 测试条件:

    300V,7A,30 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 41W TO220F

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