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FGPF7N60LSD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FGPF7N60LSD |
| 参数属性 | FGPF7N60LSD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 45W TO220F |
| 功能描述 | 600V, 7A Low Saturation IGBT CO-PAK |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
791.85 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Fairchild |
| 中文名称 | 仙童半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 23:01:00 |
| 人工找货 | FGPF7N60LSD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGPF7N60LSD规格书详情
描述 Description
Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides very low conduction and switching losses.The device is designed for Lamp applications where very low On-Voltage Drop is a required feature.
特性 Features
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.4 V @ IC = 7A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)
Applications
Lamp applications (Hallogen Dimmer)
产品属性
- 产品编号：
FGPF7N60LSDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
- 开关能量：
270µJ（开），3.8mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
120ns/410ns
- 测试条件：
300V，7A，470 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F-3
- 描述：
IGBT 600V 14A 45W TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
12388 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
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FAIRCHILDSEM |
2025+ |
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TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220F |
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FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-220F |
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原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
60000 |
询价 |
