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FGPF50N30T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FGPF50N30T

参数属性

FGPF50N30T 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 300V 46.8W TO220F

功能描述

300V, 50A PDP IGBT

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

568.74 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名称

仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司

网址

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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FGPF50N30T规格书详情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC = 30A

• High input impedance

• Fast switching

• RoHS compliant

Applications

• PDP System

产品属性

  • 产品编号:

    FGPF50N30TTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,15A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 300V 46.8W TO220F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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