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FGPF50N30T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGPF50N30T
厂商型号

FGPF50N30T

参数属性

FGPF50N30T 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 300V 46.8W TO220F

功能描述

300V, 50A PDP IGBT

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

568.74 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 9:11:00

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FGPF50N30T规格书详情

General Description

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

• High current capability

• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC = 30A

• High input impedance

• Fast switching

• RoHS compliant

Applications

• PDP System

产品属性

  • 产品编号:

    FGPF50N30TTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,15A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F-3

  • 描述:

    IGBT 300V 46.8W TO220F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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