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FGPF50N30T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FGPF50N30T |
参数属性 | FGPF50N30T 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 300V 46.8W TO220F |
功能描述 | 300V, 50A PDP IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
568.74 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Fairchild Fairchild Semiconductor |
中文名称 | 仙童半导体 飞兆/仙童半导体公司 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-9 23:00:00 |
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FGPF50N30T规格书详情
General Description
Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new sesries of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential.
特性 Features
• High current capability
• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.4V @ IC = 30A
• High input impedance
• Fast switching
• RoHS compliant
Applications
• PDP System
产品属性
- 产品编号:
FGPF50N30TTU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.5V @ 15V,15A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220F-3
- 描述:
IGBT 300V 46.8W TO220F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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