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FGPF50N30T	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V, 50A PDP IGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF50N30TTU	文件：568.74 Kbytes Page：7 Pages	300V, 50A PDP IGBT GeneralDescription UsingNovelTrenchIGBTTechnology,Fairchild’snewsesriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforPDPapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •Highcurrentcapability •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF50N30TTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 46.8W TO220F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IXTH50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH50N30	文件：380.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT50N30	文件：587.08 Kbytes Page：4 Pages	AdvanceTechnicalInformationHighCurrentPowerMOSFET HighCurrentPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Eas	IXYS IXYS Corporation	IXYS
PJM50N30DJ	文件：569.44 Kbytes Page：7 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
RM50N30DN	文件：823.18 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerinnovateddesignandsiliconprocesstechnologytoachievethelowestpossibleonresistanceandfastswitchingperformance. SimpleDriveRequirement SmallSize&LowerProfile RoHSCompliant&Halogen-Free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SFF50N30M	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF50N30Z	文件：123.35 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheRatedN-channelMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
FGPF50N30T
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
300V, 50A PDP IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市跃创芯科技有限公司	FGPF50N30T	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-220F	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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更多FGPF50N30T供应商更新时间2025-5-5 16:30:00

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