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FGH60N60SFDTU	文件：768.21 Kbytes Page：9 Pages	600V, 60A Field Stop IGBT UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstopGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchnglossesareessential.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH60N60SFDTU	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600 V, 60 A Field Stop IGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH60N60SFDTU	文件：355.97 Kbytes Page：3 Pages	Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.9V@IC=60A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·SolarConverters ·WeldingConverters ·PFC ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FGH60N60SFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGH60N60SFDTU-F085	文件：475.64 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop 600 V, 60 A Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGH60N60SFDTU-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
60N60SFD	文件：418.02 Kbytes Page：9 Pages	600V,60AFieldStopIGBT Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=60A •HighInputImpedance •FastSwitching •RoHSCompliant GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild’sfieldstop IGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
APT60N60BCS	文件：419.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT60N60BCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60BCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60BCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60BCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60SCS	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60SCS	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
APT60N60SCSG	文件：224.86 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
APT60N60SCSG	文件：401.12 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology
DAM60N60F	文件：261.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO

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产品属性

产品编号：
FGH60N60SFDTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
开关能量：
1.79mJ（开），670µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/134ns
测试条件：
400V，60A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

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更多FGH60N60SFDTU供应商更新时间2024-4-28 17:31:00

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