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FGH60N60SFDTU分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

FGH60N60SFDTU
厂商型号

FGH60N60SFDTU

参数属性

FGH60N60SFDTU 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

功能描述

600 V, 60 A Field Stop IGBT

丝印标识

FGH60N60SFD

封装外壳

TO-247 / TO-247-3

文件大小

418.02 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-5 15:54:00

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FGH60N60SFDTU规格书详情

特性 Features

• High Current Capability

• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 60 A

• High Input Impedance

• Fast Switching

• RoHS Compliant

General Description

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s field stop

IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS,

welder and PFC applications where low conduction and switching

losses are essential.

Applications

• Solar Inverter, UPS, Welder, PFC

产品属性

  • 产品编号:

    FGH60N60SFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.79mJ(开),670µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/134ns

  • 测试条件:

    400V,60A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

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