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FGH60N60SFDTU-F085	文件：475.64 Kbytes Page：9 Pages	Marking：FGH60N60SFDTU；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 60 A Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH60N60SFDTU-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Marking：FGH60N60SFDTU；Package：TO-247；IGBT - Field Stop 600 V, 60 A

Description UsingNovelFieldStopIGBTTechnology,ONSemiconductor’s newseriesofFieldStopIGBTsoffertheoptimumperformancefor AutomotiveChargers,Inverter,andotherapplicationswherelow conductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowS

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Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

ONSEMION Semiconductor

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产品属性

产品编号：
FGH60N60SFDTU-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
开关能量：
1.97mJ（开），570µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/134ns
测试条件：
400V，60A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

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