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FF225R17ME4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FF225R17ME4

参数属性

FF225R17ME4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311

功能描述

IGBT模块
MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:10:00

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FF225R17ME4规格书详情

描述 Description

EconoDUAL™ 3 1700 V, 225 A half-bridge dual IGBT module with low sat and fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode. Also available as variation with PressFIT mounting technology: FF225R17ME4_B11and Thermal Interface Material.

特性 Features

• Easy separation of DC and AC
• Optimized thermal resistance case to heat sink
• Highest power density for compact inverter designs

优势:
• Compact modules
• Easy and most reliable assembly
• No plugs and cables required
• Ideal for low inductive system designs

简介

FF225R17ME4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF225R17ME4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF225R17ME4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :225 A

  • OPN

    :FF225R17ME4BOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.95 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.8 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EconoDUAL™ 3

  • Dimensions length

    :152 mm

  • Dimensions width

    :62 mm

  • Package name

    :AG-ECONOD

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