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FDV303	文件：387.11 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 25 V (D-S) MOSFET Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) 6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. VDS (V) = 25V ID= 2A RDS(ON) 文件：387.11 Kbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDV303	文件：294.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 25 V (D-S) MOSFET General Description This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high 文件：294.27 Kbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDV303	文件：65.73 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, N-Channel 文件：65.73 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDV303	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital FET, N-Channel	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDV303N	文件：294.27 Kbytes Page：5 Pages	丝印：303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET General Description This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high 文件：294.27 Kbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
FDV303N	文件：387.11 Kbytes Page：5 Pages	丝印：303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET Features Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) 6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. VDS (V) = 25V ID= 2A RDS(ON) 文件：387.11 Kbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FDV303N	文件：1.26673 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.26673 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FDV303N	文件：65.73 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, N-Channel 文件：65.73 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDV303N-3	文件：1.2713 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：1.2713 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
FDV303N-NL	文件：1.88304 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.88304 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.68
PD Max (W)：
0.35
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
600
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
450
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.3
Ciss Typ (pF)：
50
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDV303供应商更新时间2026-4-17 17:10:00

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