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FDV303N	文件：387.11 Kbytes Page：5 Pages	Marking：303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET Features Verylowlevelgatedriverequirementsallowingdirect operationin3Vcircuits.VGS(th)6kV HumanBodyModel CompactindustrystandardSOT-23surfacemountpackage. VDS(V)=25V ID=2A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDV303N	文件：294.27 Kbytes Page：5 Pages	Marking：303；Package：SOT-23；N-Channel 25 V (D-S) MOSFET GeneralDescription Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-state resistanceatlowgatedriveconditions.Thisdeviceisdesigned especiallyforapplicationinbatterycircuitsusingeitherone lithiumorthreecadmiumorNMHcells.Itcanbeusedasaninverter orforhigh	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDV303N	文件：65.73 Kbytes Page：4 Pages	Digital FET, N-Channel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDV303N	文件：1.26673 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FDV303N-3	文件：1.2713 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FDV303N-NL	文件：1.88304 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FDV303N
功能描述：
MOSFET N-Ch Digital
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDV303N供应商更新时间2024-4-28 10:02:00

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