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FDV303N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R	NJS 新泽西半导体	NJS
FDV303N	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.68
PD Max (W)：
0.35
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
600
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
450
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.3
Ciss Typ (pF)：
50
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDV303供应商更新时间2026-4-17 17:10:00

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