FDS9435A中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-5.3A，50mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS9435A规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-5.3 A, -30 V
•RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
•RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = - 4.5 V。
•低栅极电荷
•快速开关速度
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
：FDS9435A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-5.3
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：80
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：528
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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