FDS6685数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDS6685规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
• –8.8 A, –30 VRDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = –10 VRDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V
• Low gate charge (17nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability
应用 Application
• TBA
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
:FDS6685
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-30
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-8.8
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:-
- Ciss Typ (pF)
:1604
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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ONSEMI |
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FAIRCHILD |
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FAIRCHILD |
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SOP-8 |
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FAIRCHILD |
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