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FDS6685中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-8.8A,20mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS6685

功能描述

P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V,-8.8A,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 9:18:00

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FDS6685规格书详情

描述 Description

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

• –8.8 A, –30 VRDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = –10 VRDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V
• Low gate charge (17nC typical)
• Fast switching speed
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• High power and current handling capability

应用 Application

• TBA
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6685

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-8.8

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :1604

  • Package Type

    :SOIC-8

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