FDS6676AS中文资料N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，14.5A，6.0mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6676AS规格书详情
描述 Description
FDS6676AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6676AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
特性 Features
•14.5A，30V RDS(on) = 6.0mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 7.25mΩ @ VGS = 4.5V
•包含SyncFET肖特基体二极管
•低栅极电荷（45nC，典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converters
• Low Side Notebook
技术参数
- 制造商编号
：FDS6676AS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：14.5
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：7.25
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：38
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：2510
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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