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4435	文件：76.57 Kbytes Page：6 Pages	ARX4435TransceiverforMacairH009Specification GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435andARX4435FParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. ThemodelARX4435andARX4435FPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtin	AEROFLEX Aeroflex Circuit Technology	AEROFLEX
4435	文件：1.00935 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435	文件：606.1 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •VDS=-30V,ID=-8A •RDS(on)(m-ohm) 0.020@VGS=-10V,ID=-8A 0.030@VGS=-4.5V,ID=-5A APPLICATIONS •LoadSwitches •B	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
FDS4435BZ	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	30VoltP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435BZ	文件：288.78 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-8.8A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4435BZ	文件：429.15 Kbytes Page：7 Pages	-30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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